先進晶圓材料事業

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先進晶圓材料

 

再生晶圓由監控用的擋片與製程監控晶圓回收加工後製成,重新利用於擋片與製程監控,

目的為降低擋片使用成本。兆勁科技提供正拋亮面與背拋霧面等晶圓再生專業服務。

 

 

服務項目:

 

-專業晶圓研磨減薄製程(MOSFET, IGBT等)。

-晶圓再生製程(正拋亮面,背拋霧面)。

-CMP耗材研發及銷售。

-In-house晶圓再生製程整廠輸出。

-晶圓研磨減薄等專屬製程設備研發及銷售。

 

 


 

兆勁再生晶圓特色

 

本司晶圓再生以抗拒形變不易折斷的樹酯包覆磨粒,所形成的磨片,進行傳統研磨(Lapping).用極低的下壓力(Down force)輕易地以物理性移除晶圓上薄膜,既環保又可降低矽基材移除量(Silicon removal)和損傷層(Damaged zone).

物理除膜操作快速,而且在矽材上型成均質粗糙度.有利於後續的化學機械拋光(Chemical mechanical polish)用少量的移除量,達成鏡面(Mirror-like)效果.

相較於使用漿料的傳統研磨,大幅地降低移除量,增加晶圓再生次數.對比於使用傳統化學除膜,在化學機械拋光時,有較高良率,大幅地降低重工比率.既省成本,矽移除量少.

 

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製程特色

MOSFET、IGBT 等晶圓薄化專業製程

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本司以抗拒形變不易折斷的樹酯包覆磨粒,所形成的磨片,進行傳統研磨(Lapping).用極低的下壓力(Down force)輕易地以物理性移除晶背矽材,晶背所產生損傷層極小.晶片產生的翹曲度(Warpage)小.有利於後續晶背離子植入,晶背回火,去膠及蒸(濺)鍍等製程操作。

 


產品介紹

 

製作6吋及8吋再生晶圓時,需要正面拋光、晶背霧化的服務,使用本司獨特製具進行研磨拋光。

 

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正面拋光
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背拋霧化